• SOT-89 D882 NPN Tranzystory elektroniczne Plastikowe enkapsuły
  • SOT-89 D882 NPN Tranzystory elektroniczne Plastikowe enkapsuły
  • SOT-89 D882 NPN Tranzystory elektroniczne Plastikowe enkapsuły
SOT-89 D882 NPN Tranzystory elektroniczne Plastikowe enkapsuły

SOT-89 D882 NPN Tranzystory elektroniczne Plastikowe enkapsuły

Szczegóły Produktu:

Miejsce pochodzenia: Dongguan Chiny
Nazwa handlowa: UCHI
Orzecznictwo: Completed
Numer modelu: D882

Zapłata:

Minimalne zamówienie: 1000 sztuk
Cena: negocjowalne
Szczegóły pakowania: Standardowy
Czas dostawy: 3 tygodnie
Zasady płatności: T/T, Western Union
Możliwość Supply: 5000 sztuk
Najlepsza cena Kontakt

Szczegóły informacji

Podkreślić:

Elektryczne tranzystory NPN

,

Plastikowe tranzystory elektroniczne enkapsułowane

,

Transistory elektroniczne z rozpraszaniem mocy

opis produktu

SOT-89 D882 Transistory plastikowe

 

Cechy
 
Rozpraszanie mocy
 
 

Maksymalny RATINGY (T)a)=25°C o ile nie ma inaczej zauważone)

 

Symbol Parametry Wartość Jednostka
VCBO Napięcie zbiornika bazowego 40 V
VDyrektor Napięcie kolektoru-emiteru 30 V
VEBO Napięcie bazowe emitenta 6 V
Ja...C Prąd kolektor - ciągły 3 A
PC Rozpraszanie mocy kolektoru 0.5 W
TJ Temperatura połączenia 150 °C
Tstg Temperatura przechowywania -55 ~ 150 °C

 

CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYKA ((Ta=25°C, chyba że określono inaczej)

Parametry Symbol Warunki badania Min. Rodzaj Maksymalnie Jednostka
Napięcie awaryjne zbiornika V(BR)CBO IC = 100μA, IE=0 40     V
Napięcie awaryjne kolektor-emiter V(BR)CEO IC = 10mA, IB = 0 30     V
Napięcie awaryjne emisora-podstawy V ((BR) EBO IE= 100μA, IC=0 6     V
Prąd odcinający kolektor ICBO VCB= 40V, IE=0     1 μA
Prąd odcinający kolektor ICEO VCE= 30V, IB=0     10 μA
Prąd ograniczający emisję IEBO VEB = 6V, IC = 0     1 μA
Prąd stały zyski hFE(1) VCE=2V, IC=1A 60   400  
  hFE(2) VCE=2V, IC=100mA 32      
Napięcie nasycenia kolektoru-emiteru VCE (sat) IC= 2A, IB= 0,2 A     0.5 V
napięcie nasycenia nadajnika bazowego VBE ((sat) IC= 2A, IB= 0,2 A     1.5 V
Częstotliwość przejścia fT VCE = 5V, Ic = 0,1A f = 10MHz 50     MHz

 

KLASIFIKACJA hFE(1)

 

Poziom R O Y GR
Zakres 60-120 100-200 160-320 200-400

 

Typowe Charakterystyka

SOT-89 D882 NPN Tranzystory elektroniczne Plastikowe enkapsuły 0

Chcesz dowiedzieć się więcej o tym produkcie
Jestem zainteresowany SOT-89 D882 NPN Tranzystory elektroniczne Plastikowe enkapsuły czy mógłbyś przesłać mi więcej informacji, takich jak rodzaj, rozmiar, ilość, materiał itp.
Dzięki!
Czekam na Twoją odpowiedź.