 |
Bloki warystorów z tlenku metalu cynku do ograniczników przepięć, stosowane dla prądu stałego i wysokich gradientów
Szczegóły Produktu:
| Miejsce pochodzenia: | Dongguan, Guangdong, Chiny |
| Nazwa handlowa: | UCHI |
| Orzecznictwo: | SGS.UL |
| Numer modelu: | D42*H20mm |
Zapłata:
| Minimalne zamówienie: | 5000 pne |
|---|---|
| Cena: | negocjowalne |
| Szczegóły pakowania: | Cielsko |
| Czas dostawy: | 5-7 dni |
| Zasady płatności: | T/T,Paypal,Western Union,Money gram |
| Możliwość Supply: | 5000 000 000 sztuk miesięcznie |
|
Szczegóły informacji |
|||
| Podkreślić: | Bloki warystorów z tlenku metalu cynku,Bloki warystorów do ograniczników przepięć,Warystor dla prądu stałego o wysokim gradiencie |
||
|---|---|---|---|
opis produktu
Bloky varystorowe z tlenku cynku metalowego do zatrzymujących napięcia, stosowane do prądu stałego i wysokich pochylników
Varistor z tlenkiem cynku to urządzenia zależne od napięcia, nieliniowe, które mają właściwości elektryczne podobne do diod Zenera.Składa się głównie z ZNO z niewielkimi dodatkami innych tlenków metali, takich jak bismut, Kobalt, Magnez i inne. The Metal Oxide Varistor or "MOV" is sintered during the manufacturing operation into a ceramic semiconductor and results in a crystalline microstructure that allows MOVs to dissipate very high levels of transient energy across the entire bulk of the deviceDlatego też MOV są zazwyczaj stosowane do tłumienia błyskawicy i innych przejściowych wysokiej energii występujących w zastosowaniach przemysłowych lub linii AC.MOV są stosowane w obwodach stałego prądu, takich jak źródła zasilania niskiego napięcia i aplikacje samochodoweProces ich produkcji pozwala na wiele różnych czynników kształtu, z których najczęściej występuje radialny dysk ołowiowy.
Struktura ciała varystoru tlenku cynku składa się z macierzy przewodzących ziaren ZNO oddzielonych granicami ziaren zapewniających charakterystykę półprzewodnika połączenia P ̇ N.Granice te są odpowiedzialne za blokowanie przewodzenia przy niskich napięciach i są źródłem nieliniowego przewodzenia elektrycznego przy wyższych napięciach.
Atrakcyjną właściwością MOV jest to, że właściwości elektryczne są związane z masą urządzenia.Każde ziarno ZnO ceramiki działa tak, jakby miało połączenie półprzewodnikowe na granicy ziarna.
Warystory są wytwarzane przez formowanie i sinterując proszki na bazie tlenku cynku w części ceramiczne.
Ponieważ nieliniowe zachowanie elektryczne występuje na granicy każdego półprzewodnikowego ziarna ZnO,Waristor może być uważany za urządzenie "wieloprzełącznikowe" składające się z wielu serii i równoległych połączeń granic ziarenZachowanie urządzenia można analizować w odniesieniu do szczegółów mikrostruktury ceramiki. Średnia wielkość ziarna i rozkład wielkości ziarna odgrywają ważną rolę w zachowaniu elektrycznym.
Informacje o produkcie:
Typ: wariztor D42*H20mm
Materiał: warystory tlenku metalu
Wniosek o klasyfikację aresztu DH (standardy IEC)
| Specyfikacja | Średnica | Gęstość | napięcie odniesienia prądu stałego (U1mA) | Maksymalny stosunek napięcia resztkowego (8/20us) | Możliwość wytrzymania impulsu prądu | Zalecane napięcie nominalne | Maksymalna zdolność pochłaniania energii | |
| 4/10us | 2 ms | |||||||
| mm | mm | kV | przy 10kA | kA | A | kV | kJ/kVr | |
| MOV36.5×20 | 36.5±0.5 | 20±0.5 | 4.0-4.8 | 1.83 | 100 | 350 | 3 | 2.5 |
| MOV36.5×30 | 36.58±0.5 | 30±0.5 | 6.2-7.0 | 1.83 | 100 | 350 | 4.5 | 2.5 |
| MOV42×20 | 42±0.5 | 20±0.5 | 4.0-4.8 | 1.81 | 100 | 400 | 3 | 3.4 |
| MOV42×30 | 42±0.5 | 30±0.5 | 6.2-7.0 | 1.81 | 100 | 400 | 4.5 | 3.4 |
Wniosek o klasyfikację aresztu SL (standardy IEC)
| Specyfikacja | Średnica | Gęstość | napięcie odniesienia prądu stałego (U1mA) | Maksymalny stosunek napięcia resztkowego (8/20us) | Możliwość wytrzymania impulsu prądu | Zalecane napięcie nominalne | Maksymalna zdolność pochłaniania energii | |
| 4/10us | 2 ms | |||||||
| mm | mm | kV | przy 10kA | kA | A | kV | kJ/kVr | |
| MOV48×20 | 48±0.5 | 20±0.5 | 4.0-4.8 | 1.76 | 110 | 600 | 3 | 4.9 |
| MOV48×30 | 48±0.5 | 30±0.5 | 6.2-7.0 | 1.76 | 110 | 600 | 4.5 | 4.9 |
| MOV52×20 | 52±0.5 | 20±0.5 | 4.0-4.8 | 1.74 | 120 | 800 | 3 | 6.3 |
| MOV52×30 | 52±0.5 | 30±0.5 | 6.2-7.0 | 1.74 | 120 | 800 | 4.5 | 6.3 |
Wniosek o klasyfikację aresztu SM (standardy IEC)
| Specyfikacja | Średnica | Gęstość | napięcie odniesienia prądu stałego (U1mA) | Maksymalny stosunek napięcia resztkowego (8/20us) | Możliwość wytrzymania impulsu prądu | Zalecane napięcie nominalne | Maksymalna zdolność pochłaniania energii | |
| 4/10us | 2 ms | |||||||
| mm | mm | kV | przy 10kA | kA | A | kV | kJ/kVr | |
| MOV60×20 | 60±0.5 | 20±0.5 | 4.0-4.8 | 1.72 | 150 | 1000 | 3 | 7.9 |
| MOV60×30 | 60±0.5 | 30±0.5 | 6.2-7.0 | 1.72 | 150 | 1000 | 4.5 | 7.9 |
| MOV64×20 | 64±0.5 | 20±0.5 | 4.0-4.8 | 1.69 | 150 | 1100 | 3 | 8.5 |
| MOV64×30 | 64±0.5 | 30±0.5 | 6.2-7.0 | 1.69 | 150 | 1100 | 4.5 | 8.5 |
