• Wysokiej wrażliwości komórka fotoprzewodząca CDS
Wysokiej wrażliwości komórka fotoprzewodząca CDS

Wysokiej wrażliwości komórka fotoprzewodząca CDS

Szczegóły Produktu:

Place of Origin: Dongguan,Guangdong,China
Nazwa handlowa: UCHI
Orzecznictwo: UL,VDE,SGS,ROHS
Model Number: LXD25537

Zapłata:

Minimum Order Quantity: 5000PCS
Cena: negocjowalne
Packaging Details: Bulk
Delivery Time: 7 days
Payment Terms: T/T,Paypal,Western Union,Money gram
Supply Ability: 5000,000,000PCS Per Month
Najlepsza cena Kontakt

Szczegóły informacji

Podkreślić:

rezystor zależny od światła

,

ogniwo fotoprzewodzące cds

,

ogniwo fotoprzewodzące cds o wysokiej czułości

opis produktu

Wysokiej czułości fotokomórka CDS do nawigacji samochodowej, czujnik światła CDS UL

 

Szybkie szczegóły

 

1) Powlekany epoksydem

2) Dobra niezawodność

3) Mała objętość, wysoka czułość

4) Szybka reakcja

5) Dobra charakterystyka widmowa

 
 
 
Opis
 

Fotokomórki CdS to rezystory wykonane z materiału półprzewodnikowego, a przewodnictwo zmienia się wraz ze zmianą luminancji. Fotokomórki CdS mogą być produkowane w różnych kształtach i obszarach oświetlenia w oparciu o tę charakterystykę.Zastosowanie

 
 
Fotokomórki CdS mogą być szeroko stosowane we wszelkiego rodzaju obwodach elektrycznych, takich jak sterowanie oświetleniem, regulacja itp., mogą być również używane do przełączników sterowanych światłem, oto kilka typowych zastosowań, automatyczny pomiar światła w aparacie
 

Regulacja podświetlenia: telewizory, monitory komputerowe, podświetlenie LCD, telefony komórkowe, aparaty cyfrowe, MP4, PDA, nawigacja samochodowa

Kontrola fotoelektryczna,
Oświetlenie indukcyjne, urządzenia i kontrola oświetlenia wewnętrznego
Układ scalony muzyki elektrycznej,
Kontrola przemysłowa,
Przełącznik sterowany światłem,
Lampa elektryczna,
Zabawki elektroniczne,
Monitorowanie bezpieczeństwa, cyfrowe, światła drogowe, kamera monitoringu, niania elektroniczna;
Instrument, instrument,
Specyfikacja
 
 
 
Model
 
 
Specyfikacje Vmax Pmax Temperatura otoczenia Szczyt widmowy Rezystancja foto Rezystancja w ciemności (0Lux)    100

R10

Czas reakcji

(mm)
(VDC) (MW) (℃) (nm) (10Lux) (MΩ) (mS)  
45 ~ 140 KΩ 45 ~ 140 KΩ 45 ~ 140 KΩ 45 ~ 140 KΩ 45 ~ 140 KΩ   45 ~ 140 KΩ Czas opadania LXD3526
Φ3mm 150 V 100 MW -30℃ ~ +70℃ 560nm 8 ~ 20 KΩ 2.0 MΩ 0.6 Przewaga konkurencyjna LXD25537 LXD25537
18 ~ 50 KΩ 5.0 MΩ 0.6 LXD25549
45 ~ 140 KΩ 10.0 MΩ 0.7 LXD25528
Φ4mm 150 V 100 MW -30℃ ~ +70℃ 560nm 8 ~ 20 KΩ 2.0 MΩ 0.6 Przewaga konkurencyjna LXD25537 LXD25537
18 ~ 50 KΩ 5.0 MΩ 0.6 LXD25549
45 ~ 140 KΩ 10.0 MΩ 0.7 LXD25528
Φ5mm 150 V 100 MW -30℃ ~ +70℃ 560nm 8 ~ 20 KΩ 0.2 MΩ 0.6 Przewaga konkurencyjna LXD25537 LXD25537
5 ~ 10 KΩ 1.0 MΩ 0.6 Przewaga konkurencyjna
100 MW -30℃ ~ +70℃ 2.0 MΩ 0.7 LXD25549 30 LXD25537
18~ 50 KΩ 5.0 MΩ 0.6 LXD25549
30 ~ 90 KΩ 8.0 MΩ 0.7 LXD25528
45 ~ 140 KΩ 10.0 MΩ 0.6 LXD25528 LXD25537 LXD25537
560nm 8 ~ 20 KΩ 1.0 MΩ 0.7 Przewaga konkurencyjna 30 LXD25537
8 ~ 20 KΩ 2.0 MΩ 0.6 Przewaga konkurencyjna
18~ 50 KΩ 5.0 MΩ 0.7 LXD25549
30 ~ 90 KΩ 8.0 MΩ 0.8 LXD25528
45 ~ 160 KΩ 20.0 MΩ 0.8 LXD25528
150 V 100 MW -30℃ ~ +70℃ 560nm 8 ~ 20 KΩ 2.0 MΩ 0.6 Przewaga konkurencyjna LXD25537 LXD25537
18~ 50 KΩ 5.0 MΩ 0.7 LXD25549
45 ~ 140 KΩ 10.0 MΩ 0.7 LXD25528
Φ7mm   45 ~ 140 KΩ -30℃ ~ +70℃ 560nm 8 ~ 20 KΩ 0.5 MΩ 0.6 Przewaga konkurencyjna 30 LXD25537
150 V 100 MW 560nm 2.0 MΩ 0.6 LXD25549
  45 ~ 140 KΩ 5.0 MΩ 0.7 LXD25528
  45 ~ 140 KΩ 10.0 MΩ 0.6 LXD25528
Φ9mm            150 V 100 MW

-30℃ ~ +70℃

560nm 4 ~ 10 KΩ           0.5 MΩ                           0.6   30             30              LXD9528
150 MW 560nm 8 ~ 20 KΩ 2.0 MΩ 0.6 LXD25549
18 ~ 50 KΩ 5.0 MΩ 0.7 LXD25528
45 ~ 140 KΩ 10.0 MΩ 0.8 LXD25528
Φ11mm 250 V 200 MW -30℃ ~ +70℃ 560nm 8 ~ 20 KΩ 2.0 MΩ 0.6 Przewaga konkurencyjna 30 LXD25537
18~ 50 KΩ 5.0 MΩ 0.7 LXD25549
45 ~ 140 KΩ 10.0 MΩ 0.6 LXD25528 LXD25537 LXD25537
Φ12mm 250 V 200 MW -30℃ ~ +70℃ 560nm 8 ~ 20 KΩ 2.0 MΩ 0.6 Przewaga konkurencyjna 30 LXD25537
18~ 50 KΩ 5.0 MΩ 0.7 LXD25549
45 ~ 140 KΩ 10.0 MΩ 0.6 LXD25528 LXD25537 LXD25537
Φ20mm 500 V 500 MW -30℃ ~ +70℃ 560nm 8 ~ 20 KΩ 2.0 MΩ 0.6 Przewaga konkurencyjna LXD25537 LXD25537
18~ 50 KΩ 5.0 MΩ 0.7 LXD25549
  45 ~ 140 KΩ 10.0 MΩ 0.6 LXD25528
Φ25mm 500 V 500 MW -30℃ ~ +70℃ 560nm 8 ~ 20 KΩ 2.0 MΩ 0.6 Przewaga konkurencyjna LXD25537 LXD25537
18~ 50 KΩ 5.0 MΩ 0.7 LXD25549
45 ~ 140 KΩ 10.0 MΩ 0.6 Przewaga konkurencyjna
 
 
1.

 

      Dostawa bezpośrednio z fabryki2.     Kompletne certyfikaty, takie jak UL, VDE, SGS itp. i dostępna wysoka jakość

3.      Szybka dostawa

4.     Najlepsza obsługa posprzedażna

5.     Dostępne OEM i ODM

 

 

Wysokiej wrażliwości komórka fotoprzewodząca CDS 0

Chcesz dowiedzieć się więcej o tym produkcie
Jestem zainteresowany Wysokiej wrażliwości komórka fotoprzewodząca CDS czy mógłbyś przesłać mi więcej informacji, takich jak rodzaj, rozmiar, ilość, materiał itp.
Dzięki!
Czekam na Twoją odpowiedź.